Сегодня в новостях
Владимир Путин

Владимир Владимирович Путин  — российский государственный и политический деятель, действующий президент Российской Федерации и верховный главнокомандующий Вооружёнными силами Российской Федерации с 7 мая 2012 года

Ранее занимал должность президента с 31 декабря 1999 года по 7 мая 2008 года, в 1999—2000 и 2008—2012 годах находился на посту председателя правительства Российской Федерации.

Выпускник юридического факультета Ленинградского государственного университета. С 1977 года работал по линии контрразведки в следственном отделе Ленинградского управления КГБ. С 1985 по 1990 год служил в резидентуре советской внешней разведки в ГДР, работал в Дрездене под прикрытием в должности директора дрезденского Дома дружбы СССР—ГДР. 20 августа 1991 года в звании подполковника уволился из КГБ СССР.

В 1990—1991 годах работал помощником ректора ЛГУ по международным вопросам, советником председателя Ленинградского городского Совета народных депутатов Собчака, в 1991—1996 возглавлял Комитет по внешним связям мэрии Ленинграда, был советником мэра, первым заместителем председателя правительства Санкт-Петербурга. С августа 1996 года начал работать в Москве в должности заместителя управляющего делами президента Российской Федерации. После недолгого пребывания во главе ФСБ РФ и на посту секретаря Совета Безопасности Российской Федерации в августе 1999 года был назначен председателем Правительства Российской Федерации.

Об этом же в других СМИ

SK hynix начала производство 238-слойной памяти 3D NAND – шина 2400 МТ/с позволит полностью загрузить PCIe 5.0 x4

Сейчас читают: 444
itc.ua

SK hynix начала массовое производство 238-слойных модулей памяти 3D NAND. Новые чипы обеспечивают скорость передачи данных 2400 МТ/с и могут использоваться для производства следующего поколения твердотельных накопителей с интерфейсом PCIe 5.0 x4 со скоростью последовательного чтения/записи 12 ГБ/с и выше.

Ключевым преимуществом 238 слоев TLC NAND IC от SK hynix является скорость интерфейса 2400 МТ/с. Это на 50% больше по сравнению с актуальным поколением.

Такая пропускная способность необходима для насыщения интерфейса PCIe – устройства 3D NAND на 1600 МТ/с не могут загрузить шину по полной.

Первое 238-слойное устройство 3D NAND от SK hynix представляет собой модуль 3D TLC емкостью 64 ГБ, производительность которого на 34% выше, чем у аналога, изготовленного на 176-слойной 3D NAND.

Читать на itc.ua
Сайт smartmoney.one - агрегатор новостей из открытых источников. Источник указан в начале и в конце анонса. Вы можете пожаловаться на новость, если находите её недостоверной.

Лента новостей

DMCA