Москва. 5 апреля. INTERFAX.RU - Samsung Electronics планирует увеличить более чем вдвое инвестиции в полупроводниковые операции в Техасе - примерно до $44 млрд, пишет The Wall Street Journal со ссылкой на информированные источники.
Новые инвестиции будут сосредоточены в округе Тейлор, где Samsung строит хаб для производства чипов, отмечают собеседники издания.
В частности, по их словам, компания планирует строительство новой площадки по выпуску чипов, мощностей для корпусирования микросхем, а также центра исследований и разработок (R&D).
Samsung является одним из трех производителей передовых логических интегральных схем, используемых в ИИ-решениях, в также в оборонном сегменте, наряду с Intel Corp.
Читать на interfax.ru